Tranzistor (teoretic)

Tranzistorul - un dispozitiv (radiodetails) care permite la aplicarea unui semnal (curent mic sau „pământ“, în funcție de tipul de tranziție) pentru a gestiona o mare curent care curge prin ea.

Pentru a înțelege acest lucru, puteți trimite un drum cu sens unic pentru a transporta și semafoare. Transport - curent ridicat, iar lumina de trafic este o bază a tranzistorului. Atunci când nu există nici un semnal - culoarea roșie a semaforului (bază închisă), și de transport (curent mare) costurile, dar atunci când semaforul devine verde (baza este deservit de un mic curent - semnal) - începe de transport pentru a merge (atâta timp cât există un semnal de la baza tranzistorului) . Când „deschide“ tranzistor pe ieșire a curentului de emisie a curentului de bază și se adaugă un colector.

Tranzistorii clasificate structural în: bipolar (joncțiuni p-n-p și n-p-n) și de câmp (cu p-n joncțiune și o poartă izolată). Tranzistoarele cu p-n tranziție este împărțit în: tranzistori cu canal de tip p și n-canal de tip, și o poartă izolată pe: canalul indus și canal integrat.

La imaginea principală post-prezintă principalele tipuri de clădiri, care produc în mod curent tranzistori (nu de numărare tranzistori smd) - un TO-92 și TO-220.

tranzistoarele bipolare sunt în structura lor de contact 3:
- Baza (de bază) - este servit un mic curent, pentru a da posibilitatea de a transmite un curent de colector mare (blocuri bazate pe teren curent ridicat);
- colector (colector) - acesta curent hrănite mare, care tinde să semnalul controlat emițător pe baza;
- emițător (emițător) - atunci când semnalul pe baza tranzistorului se deschide și curentul de bază și colector curge prin emițător.

Pentru tranzistor bipolar caracteristică importantă este HFE (unele surse - «câștig»). Acest indice indică numărul de ori prin tensiunea colector-emitor poate sări peste o mulțime de curent în raport cu actualele intersecții de bază-emitor.

Iată un exemplu: să zicem, hfe = 500, iar prin curentul de bază-emitor de 0.1mA are loc, atunci tranzistorul va fi dor de un maxim de 50mA ei înșiși. În cazul în care circuitul electric al tranzistorii detaliu consumă 30mA, atunci tranzistorul va furniza, și va da exact 30mA, dar în cazul în care elementul este în valoare, consumă mai mult 50mA (de exemplu, 80mA), atunci acesta va fi disponibil doar 50mA.

N-p-n și p-n-p - este un fel de structuri tranzistor, numele straturilor de siliciu abreviat într-un tranzistor (n-negativ, p-pozitiv). Ca efect tranzistor npn fluxuri mari de curent de colector emițător numai în cazul în care baza de date este adus curent scăzut și tranzistori tranziție pnp, fluxurile de curent de la colector la emițător, în cazul în care baza de date este adus „pământ“, dar este blocat atunci când se bazează pe curentul slab .

Structura Tranzistor poate identifica vizual în notația din Schema - săgeată indică întotdeauna tranziția de la p (pozitiv) la n (negativ). EXEMPLU desemnează tranzistoare bipolare în diagramă și principiul de funcționare a acestora este indicat pe imaginile de mai sus și sub acest paragraf.

FETs sunt foarte similare în acțiune cu tranzistoare bipolare, dar au unele diferențe, după cum urmează: - cu aceleași dimensiuni ca și domeniul tranzistoare bipolare permite să treacă printr-o mult mai puternic curent; - atunci când fluxurile de curent la poarta, curentul nu merge la sursa (nu însumate cu curent de scurgere).

La fel ca tranzistoare bipolare, câmp are trei ace, similare în scop, dar diferite în titlu:
- poarta (poarta) - se deschide într-o mare curent care curge de scurgere la sursa, la aplicarea unei tensiuni;
- de scurgere (golire) - acesta fed curent tinde spre sursa, cu un semnal de poartă mare;
- sursa (sursa) - de la „deschis“ la sursa de tranzistor este alimentat cu un curent de scurgere (curent cu nici o poarta).

In mod similar tranzistori FETs bipolare sunt de structura diferite: p-canal și n-canal. Când de tip n tranzistor este „deschis“, atunci când este aplicat la poarta de tensiune joasă și la un tip p tranzistor este „deschis“, atunci când este aplicat la poarta împământare.

In Schema de tranzistori polare cu n-canal ilustrat cu o săgeată de la sursă la poarta, tranzistoare cu canal p - de la poarta la sursa.